Diodes standard et de redressement

Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap

Diode, TO-247, 60A, 330A, TO-247, 200V. Boîtier: TO-247. IF(AV): 60A. IFSM: 330A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 200V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 22 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Diode, 8A, 100A, TO-220FP, TO-220FPAC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: STTH802. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (min 17ns, max 30ns). Unité de conditionnement: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Nombre de connexions: 2. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Diode, 0.15A, 12.7k Ohms, SOD-80, 100V. IF(AV): 0.15A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM 0.75App/10ms

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), 063, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 063. If [A]: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 2A. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, SMD 0805, 150mA, 500mA, 100V. Boîtier: SMD 0805. IF(AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: oui. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. Autre nom: IN4148. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U45. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U60. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Diode, 0.6A, 600V. IF(AV): 0.6A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 100V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast switching. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 1000V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Ifsm [A]: 33A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 1A

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.2x5.3mm ), 500V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Diode, 2A, 80A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Nombre de connexions: 2. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Diode, 12A, 265A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Remarque: filetage M5. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 60A, 600A, TO-247, TO-247AC 3L. IF(AV): 60A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Equivalences: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Spec info: brochage 60EPUxx 1