Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U60. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V

Diode, 0.6A, 600V. IF(AV): 0.6A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 100V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast switching. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1000V, silicium, 1A. VRRM: 1000V. Boîtier: silicium. Courant redressé moyen par diode: 1A. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Série: UF40. MSL: 5uA..50uA

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.2x5.3mm ), 500V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 2A, 80A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 600V, 1A. VRRM: 600V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns

Diode, 12A, 265A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. Remarque: filetage M5. IRM (max): 12mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V

Diode, 60A, 600A, TO-247, TO-247AC 3L. IF(AV): 60A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Equivalences: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: brochage 60EPUxx 1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 0.72V

Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky de puissance. IRM (max): 30mA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.71V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V

Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. Remarque: 0402-000491. Remarque: 50Ap / 10ms