Diodes standard et de redressement

Diode, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 52A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2V

Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 90A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.79V

Diode, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 70A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V

Diode, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Configuration: boîtier isolé, sans perçage. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V

Diode, TO-247, TO-247AD, 1600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Standard Rectifier. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: patte centrale (cathode D1, anode D2, en série). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.16V

Diode, 6A, 15A, 80A (tp=10ms), TO-220, TO-220AC, 1500V. IF(AV): 6A. IF(RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Divers: Diode d'amortissement haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT Horizontal Deflection. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 15A, TO-220FP, TO-220FPAC, 1500V. IF(AV): 15A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Remarque: Diode d'amortissement haute tension. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 5A, 75A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 130 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 0.8A, 200V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SPEC.SONY DIODA. Remarque: SONY 871904678

Diode, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.6x4.9mm ), 100V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Redresseurs à haut rendement. Remarque: 30Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 200V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 300V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 400V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Diode. Remarque: Gl, S. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2x2.7 ), 1600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 30Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 600V, 1A. VRRM: 600V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: Switching. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 5uA / 600V. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Série: ER1

Diode, 200V, 2A. VRRM: 200V. Courant redressé moyen par diode: 2A. Type de diode: Switching. Configuration des diodes: indépendant. Type de montage: SMD. Temps de récupération inverse (max): 35ns. Série: ER2

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMB / DO214AA, 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMC / DO214AB, 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 0.5A, 800V. IF(AV): 0.5A. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 400V. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG. Remarque: B29-04.79

Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S

Diode, 3A, 1500V. IF(AV): 3A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 9x7mm. Remarque: MONITOR DAMP. Remarque: D09.15