Diodes standard et de redressement

Diode, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. IF(AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.17V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. IF(AV): 2x91A. IFSM: 900A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 15mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. Délai de livraison: KB. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.87V. Tension de seuil Vf (min): 1.61V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode épitaxiale, courant fort. Remarque: 900App/10ms, 45°C. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 200V. IF(AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Dissipation de puissance maxi: 357W. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 37A, 375A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 37A, 375A, TO-247, TO-247AD, 1000V. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Dissipation de puissance maxi: 138W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 28A, 200A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 28A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Dissipation de puissance maxi: 138W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 60A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1000V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 52A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Diode, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 90A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.79V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diode, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 70A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diode, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. Unité de conditionnement: 10. Nombre de connexions: 2. Configuration: boîtier isolé, sans perçage. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diode, TO-247, TO-247AD, 1600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1600V. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Standard Rectifier. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.16V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: patte centrale (cathode D1, anode D2, en série)

Diode, 6A, 15A, 80A (tp=10ms), TO-220, TO-220AC, 1500V. IF(AV): 6A. IF(RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Divers: Diode d'amortissement haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT Horizontal Deflection. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Nombre de connexions: 2

Diode, 15A, TO-220FP, TO-220FPAC, 1500V. IF(AV): 15A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Remarque: Diode d'amortissement haute tension

Diode, 5A, 75A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 130 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Diode, 0.8A, 200V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SPEC.SONY DIODA. Remarque: SONY 871904678

Diode, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.6x4.9mm ), 100V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30Ap/8.3ms. Remarque: Redresseurs à haut rendement

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 200V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 300V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 400V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Diode. Remarque: Gl, S. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2x2.7 ), 1600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMB / DO214AA, 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (min): 1.7V