Diodes standard et de redressement

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AB, SOT78, 500V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Marquage sur le boîtier: BYV34-500. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Date de production: 2013/40. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Remarque: cathode commune. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 12.7A, 150A, TO-220, TO-220-2, 200V. IF(AV): 12.7A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 800V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 80App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. IRM (max): 600uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 8A, 88A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 88A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (max 25ns). Remarque: Viso 2500V, Cisol 10pF. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Remarque: Diode de rectification et de commutation rapide. IRM (max): 46.4k Ohms. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Mesa Rectifiers. IRM (max): 5uA. IRM (min): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220B, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220B. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: Ifsm 100A/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 70A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers'. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 3A, 70A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 800V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseur d'avalanche contrôlé à récupération rapide et douce. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 0.36A, 1600V. IF(AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI. Remarque: BYX10GP

Diode, 1.2A, 350V. IF(AV): 1.2A. VRRM: 350V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S

Diode, 10A, 1200V. IF(AV): 10A. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 11mm, 6 pans. Remarque: GI-L. Remarque: filetage M5

Diode, 1A, 300V. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI

Diode, 20mA, DO-214, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. IF(AV): 20mA. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 20mA/45V. Remarque: commande de LED à courant constant. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 40mA, DO-214, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. IF(AV): 40mA. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 40mA/45V. Remarque: commande de LED à courant constant. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 15A, 150A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 30A, 300A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode. Remarque: Uf 0.98V. Remarque: diode à récupération ultra rapide. Remarque: Ifsm--65App

Diode, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé