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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Diodes
Diodes standard et de redressement

Diodes standard et de redressement

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Quantité en stock : 311
BYV38

BYV38

Diode. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-co...
BYV38
Diode. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Date de production: 2013/40. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)
BYV38
Diode. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Date de production: 2013/40. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)
Lot de 1
0.62fr TTC
(0.57fr HT)
0.62fr
Quantité en stock : 68
BYV42E-150

BYV42E-150

Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur:...
BYV42E-150
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
BYV42E-150
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
Lot de 1
1.89fr TTC
(1.75fr HT)
1.89fr
Quantité en stock : 69
BYV42E-200

BYV42E-200

Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur:...
BYV42E-200
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
BYV42E-200
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
Lot de 1
1.92fr TTC
(1.78fr HT)
1.92fr
Quantité en stock : 401
BYV79E-200

BYV79E-200

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: s...
BYV79E-200
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IF(AV): 12.7A. IFSM: 150A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms
BYV79E-200
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IF(AV): 12.7A. IFSM: 150A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms
Lot de 1
1.93fr TTC
(1.79fr HT)
1.93fr
Quantité en stock : 154
BYW172D

BYW172D

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pou...
BYW172D
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms
BYW172D
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms
Lot de 1
1.16fr TTC
(1.07fr HT)
1.16fr
Quantité en stock : 89
BYW178

BYW178

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pou...
BYW178
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI S. Remarque: 80App/10ms
BYW178
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI S. Remarque: 80App/10ms
Lot de 1
1.28fr TTC
(1.18fr HT)
1.28fr
Quantité en stock : 168
BYW29-200

BYW29-200

Diode. Cj: 45pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-con...
BYW29-200
Diode. Cj: 45pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. IF(AV): 8A. IRM (max): 600uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)
BYW29-200
Diode. Cj: 45pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. IF(AV): 8A. IRM (max): 600uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)
Lot de 1
1.23fr TTC
(1.14fr HT)
1.23fr
Quantité en stock : 87
BYW29EX-200

BYW29EX-200

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.):...
BYW29EX-200
Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 88A. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (max 25ns). Remarque: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS
BYW29EX-200
Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 88A. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (max 25ns). Remarque: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS
Lot de 1
1.03fr TTC
(0.95fr HT)
1.03fr
Quantité en stock : 189
BYW36

BYW36

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: ...
BYW36
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fast Avalanche Sinterglass Diode. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 46.4k Ohms. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode de rectification et de commutation rapide. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)
BYW36
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fast Avalanche Sinterglass Diode. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 46.4k Ohms. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode de rectification et de commutation rapide. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)
Lot de 1
0.78fr TTC
(0.72fr HT)
0.78fr
Quantité en stock : 160
BYW56

BYW56

Diode. Cj: 50pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-condu...
BYW56
Diode. Cj: 50pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Mesa Rectifiers. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 0.1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)
BYW56
Diode. Cj: 50pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Mesa Rectifiers. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 0.1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)
Lot de 1
0.58fr TTC
(0.54fr HT)
0.58fr
Quantité en stock : 45
BYW72

BYW72

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. RoHS: oui. Montage/installation: montage tra...
BYW72
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms
BYW72
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms
Lot de 1
0.95fr TTC
(0.88fr HT)
0.95fr
Quantité en stock : 93
BYW80-200

BYW80-200

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Montage/installation: montage traversant pou...
BYW80-200
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220B. VRRM: 200V. Remarque: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: Ifsm 100A/10ms
BYW80-200
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220B. VRRM: 200V. Remarque: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: Ifsm 100A/10ms
Lot de 1
0.94fr TTC
(0.87fr HT)
0.94fr
Quantité en stock : 45
BYW95C

BYW95C

Diode. Cj: 85pF. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft...
BYW95C
Diode. Cj: 85pF. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers'. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS
BYW95C
Diode. Cj: 85pF. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers'. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS
Lot de 1
1.32fr TTC
(1.22fr HT)
1.32fr
En rupture de stock
BYW96D

BYW96D

Diode. Cj: 75pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-co...
BYW96D
Diode. Cj: 75pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Redresseur d'avalanche contrôlé à récupération rapide et douce. Spec info: IFSM--70Ap
BYW96D
Diode. Cj: 75pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Redresseur d'avalanche contrôlé à récupération rapide et douce. Spec info: IFSM--70Ap
Lot de 1
3.98fr TTC
(3.68fr HT)
3.98fr
Quantité en stock : 26
BYX10

BYX10

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Remarque: GI. Remarque: BYX1...
BYX10
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Remarque: GI. Remarque: BYX10GP
BYX10
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Remarque: GI. Remarque: BYX10GP
Lot de 1
0.40fr TTC
(0.37fr HT)
0.40fr
Quantité en stock : 31
BYX55-350

BYX55-350

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.2A. VRRM: 350V. Remarque: GI-S...
BYX55-350
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.2A. VRRM: 350V. Remarque: GI-S
BYX55-350
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.2A. VRRM: 350V. Remarque: GI-S
Lot de 1
0.49fr TTC
(0.45fr HT)
0.49fr
Quantité en stock : 8
BYX98-1200

BYX98-1200

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. VRRM: 1200V. Remarque: 11mm, 6 pans. Remarq...
BYX98-1200
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. VRRM: 1200V. Remarque: 11mm, 6 pans. Remarque: GI-L. Remarque: filetage M5
BYX98-1200
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. VRRM: 1200V. Remarque: 11mm, 6 pans. Remarque: GI-L. Remarque: filetage M5
Lot de 1
7.00fr TTC
(6.48fr HT)
7.00fr
Quantité en stock : 12
BYY32

BYY32

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Remarque: GI...
BYY32
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Remarque: GI
BYY32
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Remarque: GI
Lot de 5
0.83fr TTC
(0.77fr HT)
0.83fr
Quantité en stock : 10409
CL20M45

CL20M45

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circui...
CL20M45
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 20mA/45V. IF(AV): 20mA. RoHS: oui. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: commande de LED à courant constant. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité par boîtier: 1. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V
CL20M45
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 20mA/45V. IF(AV): 20mA. RoHS: oui. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: commande de LED à courant constant. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité par boîtier: 1. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V
Lot de 1
0.27fr TTC
(0.25fr HT)
0.27fr
Quantité en stock : 5715
CL40M45

CL40M45

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circui...
CL40M45
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 40mA/45V. IF(AV): 40mA. RoHS: oui. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: commande de LED à courant constant. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité par boîtier: 1. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V
CL40M45
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 40mA/45V. IF(AV): 40mA. RoHS: oui. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: commande de LED à courant constant. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité par boîtier: 1. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V
Lot de 1
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0.27fr
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CTB34

CTB34

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns...
CTB34
Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V
CTB34
Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V
Lot de 1
2.21fr TTC
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CTB34M

CTB34M

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns...
CTB34M
Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V
CTB34M
Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V
Lot de 1
3.19fr TTC
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3.19fr
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CTL22S

CTL22S

Diode. Remarque: Uf 0.98V. Remarque: Ifsm--65App. Remarque: diode à récupération ultra rapide...
CTL22S
Diode. Remarque: Uf 0.98V. Remarque: Ifsm--65App. Remarque: diode à récupération ultra rapide
CTL22S
Diode. Remarque: Uf 0.98V. Remarque: Ifsm--65App. Remarque: diode à récupération ultra rapide
Lot de 1
3.08fr TTC
(2.85fr HT)
3.08fr
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CTX12SL

CTX12SL

Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium...
CTX12SL
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IF(AV): 5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS
CTX12SL
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IF(AV): 5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS
Lot de 1
1.03fr TTC
(0.95fr HT)
1.03fr
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D22-20-06-NO

D22-20-06-NO

Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Fonction: diode de puissance. IF(AV):...
D22-20-06-NO
Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Fonction: diode de puissance. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Filetage: M5. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 275App/10ms
D22-20-06-NO
Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Fonction: diode de puissance. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Filetage: M5. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 275App/10ms
Lot de 1
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(7.23fr HT)
7.82fr

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