Diodes standard et de redressement

Diode. Remarque: Diode à condensateur variable (diode varicap)

Diode. Remarque: Diode à condensateur variable (diode varicap)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 8A. IFSM: 155A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.83V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Nombre de connexions: 2. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. VRRM: 12000V

Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-41. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.2A. VRRM: 50V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Diode Tff(25°C): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.25A. IFSM: 20A. IRM (max): 2uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.75A. VRRM: 600V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. Remarque: GR. VRRM: 650V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: montage sur dissipateur thermique. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Remarque: 4.2x4.3mm. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: 97053100. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Remarque: 4.2x4.3mm. IRM (max): 140uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifms 70Ap

Diode. RoHS: oui. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: Ifms 70Ap

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. IFSM: 30A. IRM (max): 140uA. IRM (min): 3uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 4A. Remarque: 1000 ns. Remarque: 30App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): SOD-57. VRRM: 1200V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 12A. Remarque: Monitor CRT-GI. Remarque: TO-220, SOD113 (boîtier en plastique). VRRM: 1500V. Remarque: 48...82kHz

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50°C...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 220A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifiers. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. IRM (max): 20uA. IRM (min): 20uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. IRM (max): 20uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms