Diodes standard et de redressement

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Remarque: SILICON DIFFUSED TYPE. Remarque: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Remarque: trr 0.6us. VRRM: 1500V

Diode. Cj: 87pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 60A. IFSM: 800A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: 60APU02. Equivalences: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.08V. Tension de seuil Vf (min): 0.98V. VRRM: 200V. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.2A. Remarque: SAMSUNG. VRRM: 400V

Diode. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Equivalences: 6A100G-R0G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms)

Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm)

Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Diode. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 80A. IFSM: 800A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 8A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.4x7.5mm). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 50V. Nombre de connexions: 2. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 5uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: RG2A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AP. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 50Ap

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Montage/installation: SMD. Tension inverse maxi: 30V. Tension de seuil: 450mV. Courant: 100mA. Temps de réaction: 4ns. Structure semi-conductrice: diode. Courant d'impulsion max.: 750mA. Tension de conduction (tension de seuil): 1V

Diode. Cj: 5pF. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IF(AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. IRM (max): 100mA. IRM (min): 500nA. Marquage sur le boîtier: DB1. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23L. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.45V. Tension de seuil Vf (min): 0.26V. VRRM: 30 v. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Structure diélectrique: anode commune. Spec info: IFSM--750mA t=10ms

Diode. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 6 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de commutation. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Remarque: sérigraphie/code CMS A6s, A6t. IRM (max): 50uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: A6s. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. VRRM: 75V

Diode. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de commutation haute tension. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 250V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A

Diode. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension de seuil Vf (max): 1V. VRRM: 70V. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs

Diode. Cj: 4pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. IF(AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Marquage sur le boîtier: .W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-523. Boîtier (selon fiche technique): SOD-523. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Diode. Cj: 5pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Marquage sur le boîtier: 45. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Diode. Cj: 5pF. Structure diélectrique: indépendant. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Marquage sur le boîtier: 47 s. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Diode. Cj: 4pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.5us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode à faible fuite. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Remarque: faible courant inverse. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 125V. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS

Diode. Cj: 10pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. IRM (max): 2uA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD80. Boîtier (norme JEDEC): Sb. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2uA..2uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.4V @ 10mA