Diodes standard et de redressement

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 600V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 400V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 5A, 1500V. IF(AV): 5A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SILICON DIFFUSED TYPE. Remarque: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Remarque: trr 0.6us

Diode, 60A, 800A, TO-247, TO-247AC 3L, 200V. IF(AV): 60A. IFSM: 800A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: 60APU02. Equivalences: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.08V. Tension de seuil Vf (min): 0.98V. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode, 1.2A, 400V. IF(AV): 1.2A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG

Diode, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Equivalences: 6A100G-R0G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms)

Diode, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Diode, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Remarque: filetage M6. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Diode, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm)

Diode, 70A, 110A, 1200A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Remarque: filetage M6. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Diode, 80A, 800A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 80A. IFSM: 800A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode, 8A, DO-27, DO-27 (5.4x7.5mm), 50V, 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. IF(AV): 8A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 20mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C

Diode, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 5uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: RG2A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: IFMS 50Ap

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Nombre de connexions: 2

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Montage/installation: SMD. Tension inverse maxi: 30V. Tension de seuil: 450mV. Courant: 100mA. Temps de réaction: 4ns. Structure semi-conductrice: diode. Courant d'impulsion max.: 750mA. Tension de conduction (tension de seuil): 1V

Diode, 0.1A, 0.75A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23L, 30 v. IF(AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23L. VRRM: 30 v. Cj: 5pF. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 100mA. IRM (min): 500nA. Marquage sur le boîtier: DB1. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.45V. Tension de seuil Vf (min): 0.26V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Structure diélectrique: anode commune. Spec info: IFSM--750mA t=10ms

Diode, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. IF(AV): 215mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de commutation à haute vitesse. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 30nA. Marquage sur le boîtier: A6W. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us)

Diode, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 6 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de commutation. Remarque: sérigraphie/code CMS A6s, A6t. IRM (max): 50uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: A6s. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV

Diode, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de commutation haute tension. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A

Diode, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 1A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode haute vitesse. Date de production: 2014/22. Marquage sur le boîtier: A6. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms)

Diode, 0.2A, 2A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1V. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs