Diodes standard et de redressement

Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Diode. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: détection VHF/UHF. IF(AV): 15mA. IRM (max): 0.2uA. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 4.5x2mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode Schottky. Quantité par boîtier: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Diode. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: détection VHF/UHF. IF(AV): 15mA. IRM (max): 0.2uA. Marquage sur le boîtier: SA. Dimensions: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode Schottky. Quantité par boîtier: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Diode. Cj: 110pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 30 v. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Diode. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. IRM (max): 1.5mA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SL. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 450mW. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.32V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Diode. Cj: 2.2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Ultrafast switching. IF(AV): 15mA. IFSM: 50mA. IRM (max): 0.2uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V. VRRM: 60V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Diode Schottky de commutation. Remarque: f=1MHz 2.2pF. Remarque: détection VHF/UHF

Diode. Cj: 4pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 300mA. IFSM: 4A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: 0...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ifsm 10Ap. Remarque: redresseurs de puissance à découpage

Diode. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 130mA. IFSM: 400mA. IRM (max): 0.5uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Cj: 3pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 100mA. IFSM: 500mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s)

Diode. Cj: 720pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 20A. IFSM: 310A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. Vrms: 45V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Schottky Barrier Rectifier Diode. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: 920App / 5us. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Remarque: Double diode de redressement à barrière Schottky

Diode. Cj: 340pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 15A. IFSM: 340A. Remarque: cathode commune. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.19V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 150V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: IFSM--Max

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: 'Fast Recovery Rectifiers'. Remarque: 200App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: 'Fast Recovery Rectifiers'. Remarque: 200App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra-Fast Recovery. IF(AV): 3A. IFSM: 45A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Diode Tff(25°C): 200 ns. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. Tension de seuil Vf (max): 2V. VRRM: 600V

Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+160°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1600V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)