Quantité (Lot de 5) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 2 | 0.56fr | 0.61fr |
3 - 4 | 0.53fr | 0.57fr |
5 - 9 | 0.50fr | 0.54fr |
10 - 19 | 0.47fr | 0.51fr |
20 - 49 | 0.45fr | 0.49fr |
50 - 99 | 0.39fr | 0.42fr |
100 - 607 | 0.36fr | 0.39fr |
Quantité (Lot de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.56fr | 0.61fr |
3 - 4 | 0.53fr | 0.57fr |
5 - 9 | 0.50fr | 0.54fr |
10 - 19 | 0.47fr | 0.51fr |
20 - 49 | 0.45fr | 0.49fr |
50 - 99 | 0.39fr | 0.42fr |
100 - 607 | 0.36fr | 0.39fr |
Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V - 1N5406. Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 12:25.
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