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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V - 1N5406

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V - 1N5406
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Lot de 5

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V - 1N5406. Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. RoHS: oui. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Produit d'origine constructeur Diotec. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 08:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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Diode, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V, DO-201, 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: DO-201. Courant redressé moyen par diode: 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 3A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 500uA. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 2. Série: 1N54. MSL: IFSM--200Ap t=8.3ms
1N5408
Diode, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V, DO-201, 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: DO-201. Courant redressé moyen par diode: 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 3A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 500uA. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 2. Série: 1N54. MSL: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Quantité en stock : 2660
BY255

BY255

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circu...
BY255
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tension directe Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.3 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tension directe Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.3 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
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