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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode 1N5402

Diode 1N5402
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Diode 1N5402. Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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