Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMC / DO214AB, 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 0.5A, 800V. IF(AV): 0.5A. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 400V. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG. Remarque: B29-04.79

Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S

Diode, 3A, 1500V. IF(AV): 3A. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 9x7mm. Remarque: MONITOR DAMP. Remarque: D09.15

Diode, 1A, DO-214, DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1D. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Diode de redressement à montage en surface ultra rapide

Diode, 1A, DO-214, DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm, 400V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1G. Nombre de connexions: 2. Remarque: Diode de redressement à montage en surface ultra rapide

Diode, 1A, DO-214, DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1J. Nombre de connexions: 2. Remarque: Diode de redressement à montage en surface ultra rapide

Diode, 30A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode Schottky. Remarque: Ifsm--250A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: double diode au silicium

Diode, 5A, 80A, TO-3FP, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). IF(AV): 5A. IFSM: 80A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. VRRM: 1500V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 0.15us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseur à très haute vitesse et à faible perte. Remarque: DAMPER +MODULATION. Marquage sur le boîtier: CO23M-15 (C023M-15). Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS

Diode, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 200V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ULTRA FAST ->l<-. Remarque: Ifsm--50A/10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 0.8A, 600V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S

Diode, 6A, 100A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. IF(AV): 6A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Double diode de récupération rapide. Remarque: cathode commune. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Diode, 1A, TS-1 ( 2.5x3.3mm ), 400V. IF(AV): 1A. Boîtier (selon fiche technique): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 30Ap/8.3ms

Diode, 1A, 200V. IF(AV): 1A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL

Diode, 3A, 100V. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms

Diode, 3A, 150V. IF(AV): 3A. VRRM: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms

Diode, 8A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Remarque: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Remarque: Ifsm 125Aps/8.3ms

Diode, 15A, 300A, TO-247, TO-247AD, 200V. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Double diode de redressement ultra-rapide. cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Diode, 15A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Double diode de redressement ultra-rapide. cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Diode, 5A, 1200V. IF(AV): 5A. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Commutation à haute vitesse. Remarque: Ifsm--30App. Remarque: haute tension et haute fiabilité

Diode, 6A, 60A, TO-220FP, TO-220F-2L, 200V. IF(AV): 6A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35ms. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast with soft recovery. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Faible tension directe

Diode, 10A, 100A, TO-220FP, TO-220F-2L, 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 32 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Diode, 10A, 50A, TO-220FP, TO-220F-2L, 600V. IF(AV): 10A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 34 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.2V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Diode, 6A, TO-220FP, TO-220F-3. IF(AV): 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 90 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Damper + Modulation Diode'. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Remarque: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap