Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 3A, 150A, DO-27, DO-27 (9.5x5.6mm), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Poids: 0.4g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (8.8x7mm), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm--60Aps. Dissipation de puissance maxi: 14W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 8A, 60A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 18 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Equivalences: 39.2k Ohms. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Spec info: IFRM 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 8A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm 60Aps. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 15A, 50A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 42 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 400uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: HFA15TB60. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 25A, 225A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 25A. IFSM: 225A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 600uA. IRM (min): 1.5uA. Equivalences: VS-HFA25TB60-M3. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--225Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 30A, 150A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 19 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 6A, 800V. IF(AV): 6A. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: D30. Remarque: filetage M4. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, DO214AC (SMA), 40V, 3A. Boîtier: DO214AC (SMA). VRRM: 40V. Courant redressé moyen par diode: 3A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.51V / 3A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 50uA / 40V. Information: 3rd Gen. Série: L217

Diode, miniMELF, 100V, 0.15A. Boîtier: miniMELF. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.15A. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Type de diode: Switching. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: 1V / 10mA. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 5uA / 75V. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Information: 1V @ 10mA. Série: LL4148. MSL: 25nA..50uA

Diode, 0.2A, 2A, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 100V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs de commutation à haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V

Diode, 1A, 600V. IF(AV): 1A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG

Diode, 0.1A, 80V. IF(AV): 0.1A. VRRM: 80V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: double diode au silicium

Diode, SOD123, 30V, 0.5A. Boîtier: SOD123. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.5A. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: 0.43V / 0.5A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 130uA / 30V. Série: MBRB

Diode, 10A, 150A, TO-220, TO-220A-2P, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.1mA. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 150V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 10A, TO-220, TO-220AC-2P, 200V. IF(AV): 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode de redressement Schottky. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.2mA. IRM (min): 0.2mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.99V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, TO-220, TO-220AC, 60V, DO220, 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 60V. Boîtier: DO220. Courant redressé moyen par diode: 10A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.70V / 10A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 0.1mA / 60V. Temps de récupération inverse (max): B1060. Information: 2. Série: MBR10. MSL: n/a

Diode, 7.5A, 75A, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 7.5A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode pour alimentation à découpage, double, Schottky. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V

Diode, 7.5A, TO-220, TO-220AB, 60V. IF(AV): 7.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 60V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode pour alimentation à découpage. Remarque: 15A/150App. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..50mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C