Diodes standard et de redressement

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Dissipation de puissance maxi: 14W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm--60Aps

Diode. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 18 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Equivalences: 39.2k Ohms. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IFRM 24A

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm 60Aps

Diode. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 42 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IF(AV): 15A. IFSM: 50A. IRM (max): 400uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: HFA15TB60. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Diode. Cj: 55pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IF(AV): 25A. IFSM: 225A. IRM (max): 600uA. IRM (min): 1.5uA. Equivalences: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Diode. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 19 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Soft Recovery Diode. IF(AV): 30A. IFSM: 150A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Diode. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 6A. Remarque: D30. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. VRRM: 800V. Remarque: filetage M4

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD80C (MiniMELF). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA. Boîtier (norme JEDEC): 0.5W

Diode. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs de commutation à haute vitesse. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Remarque: SAMSUNG. VRRM: 600V

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.1A. VRRM: 80V. Remarque: double diode au silicium

Diode. Boîtier: SOD123. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: 0.43V / 0.5A. Type de montage: SMD. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.5A. Courant de fuite inverse: 130uA / 30V. Série de produits: MBRB. MSL: 1

Diode. RoHS: oui. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 10A. IFSM: 150A. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.1mA. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A-2P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. VRRM: 100V

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 100V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. IRM (max): 0.008mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. Remarque: diode de redressement Schottky. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2P. VRRM: 200V

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. IRM (max): 0.2mA. IRM (min): 0.2mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.99V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. IFSM: 150A. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.1mA. Marquage sur le boîtier: B1060. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode pour alimentation à découpage, double, Schottky. IF(AV): 7.5A. IFSM: 75A. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms)

Diode. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..50mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 7.5A. Remarque: diode pour alimentation à découpage. Remarque: 15A/150App. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 60V

Diode. Cj: 500pF. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'Barrier Rectifiers'. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Nombre de connexions: 3. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.63V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Diode. Cj: 500pF. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Remarque: 'Barrier Rectifiers'. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Diode. Cj: 400pF. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'Barrier Rectifiers'. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Nombre de connexions: 3. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 20A. IFSM: 150A. Marquage sur le boîtier: B20100G. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 20A. IFSM: 150A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 0.1mA. Marquage sur le boîtier: B20100G. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz