Diodes Zéner

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 12V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 12V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Date de production: 2014/50. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé (CMS), miniMELF, SOD80, 13V, 0.5W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: miniMELF. Boîtier (norme JEDEC): SOD80. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 13V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Zener 500mW (0.5W). Composant monté en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 13V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 13V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SI-Z SMD. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 18V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 18V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 22V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 22V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD-Z. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 24V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 24V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Date de production: 2015/05. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 2.4V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 2.4V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 2.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 2.7V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. VRRM: 2.7V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 30 v. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, 36V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Tension Zéner: 36V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Dimensions: 3.4x1.6mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: SI-Z SMD

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 4uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3.3V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 2uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3.6V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Date de production: 2012/48. IRM (max): 40uA. IRM (min): 2uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 3.9V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 3.9V. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. VRRM: 3.9V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Matériau semi-conducteur: silicium. Distance entre connexions (pas): 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Remarque: SOD-80. Remarque: SI-Z SMD

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 4.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 4.3V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 20uA. IRM (min): 1uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 4.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 4.7V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Date de production: 2014/45. IRM (max): 10uA. IRM (min): 0.5uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 5.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 5.6V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SI-Z SMD. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 6.8V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 6.8V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Date de production: 2014/44. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 6.8V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 7.5V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tension Zéner: 7.5V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 7.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, 0.5W, 12.7k Ohms, SOD-80, 9.1V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80. Tension Zéner: 9.1V. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). VRRM: 9.1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: 3.4x1.6mm. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMA, DO-214AC, 4.7V, 1W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 4.7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. RoHS: non. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMA, DO-214AC, 5.1V, 1W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 5.1V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMA, DO-214AC, 5.6V, 1W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 5.6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. RoHS: non. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMC, DO-214AB, 150V, 3W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Zener 3W. Composant monté en surface (CMS). Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C