Diodes Zéner

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 15V. Courant Zéner Iz: 32mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 11V / 0.1uA. Tolérance: 5%. Impédance: 11 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 18V. Courant Zéner Iz: 26mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 14V / 0.1uA. Tolérance: 5%. Impédance: 18 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 3V. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tolérance: 5%. Impédance: 80 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 3.3V. Courant Zéner Iz: 143mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 1V / 5uA. Tolérance: 5%. Impédance: 80 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 3.6V. Courant Zéner Iz: 132mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 1V / 5uA. Tolérance: 5%. Impédance: 80 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 3.9V. Courant Zéner Iz: 122mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 1V / 3uA. Tolérance: 5%. Impédance: 80 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 4.3V. Courant Zéner Iz: 109mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 1V / 3uA. Tolérance: 5%. Impédance: 70 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 6.2V. Courant Zéner Iz: 76mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 2V / 0.1uA. Tolérance: 5%. Impédance: 5 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, DO35. Boîtier: DO35. Tension Zéner Vz: 6.8V. Courant Zéner Iz: 69mA. Puissance: 0.5W. Type de montage: THT. Tension inverse/courant de fuite: 3V / 0.1uA. Tolérance: 5%. Impédance: 4 Ohms. Série: BZX79C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-35, 10V, 0.5W, 2. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Boîtier (norme JEDEC): 2. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 0.5W (25°C), 5%. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Diode Zéner, 11V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, DO-35. Tension Zéner: 11V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Boîtier: DO-35. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Type de diode: Diode Zéner. Puissance: 0.5W

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 12V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 12V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Equivalences: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 13V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 13V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 15V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 15V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 16V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 16V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 18V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 18V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IF(AV): 250mA. Equivalences: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode Zéner, 20V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Equivalences: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 22V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 22V. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Equivalences: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 24V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 24V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Equivalences: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 27V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 27V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Glass Silicon Zener Diode'. IRM (max): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 2.4V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 2.4V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Equivalences: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 2.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 2.7V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 33V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 33V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 36V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 36V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%