Diodes Zéner

Diode Zéner, 15V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 15V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 16V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 16V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 18V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 18V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IF(AV): 250mA. Equivalences: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode Zéner, 20V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Equivalences: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 22V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 22V. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Equivalences: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 24V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 24V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Equivalences: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 27V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 27V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Glass Silicon Zener Diode'. IRM (max): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 2.4V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 2.4V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Equivalences: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 2.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 2.7V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 33V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 33V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 36V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 36V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3.3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3.6V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3.9V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3.9V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 43V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 43V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 47V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 47V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 4.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 4.3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 4.7V, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. Tension Zéner: 4.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 51V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 51V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 5.1V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 5.1V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 0.1uA. Equivalences: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 5.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 5.6V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 62V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 62V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 6.2V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 6.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 0.1uA. Equivalences: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V