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Transistor FCP11N60

Transistor FCP11N60
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Transistor FCP11N60. Transistor. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

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