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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor STP11NM60ND

Transistor STP11NM60ND
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25 - 49 2.65fr 2.86fr
50 - 66 2.58fr 2.79fr
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Transistor STP11NM60ND. Transistor. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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