Transistor FDS9435A

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.84fr	0.91fr
5 - 9	0.80fr	0.86fr
10 - 24	0.76fr	0.82fr
25 - 49	0.72fr	0.78fr
50 - 62	0.70fr	0.76fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.84fr	0.91fr
5 - 9	0.80fr	0.86fr
10 - 24	0.76fr	0.82fr
25 - 49	0.72fr	0.78fr
50 - 62	0.70fr	0.76fr

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Transistor FDS9435A. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS9435A. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 528pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

Documentation technique