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Transistor FQP5N60C

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Transistor FQP5N60C. Transistor. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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