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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620

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Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620. Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 260pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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