Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88fr | 0.95fr |
5 - 9 | 0.84fr | 0.91fr |
10 - 24 | 0.81fr | 0.88fr |
25 - 49 | 0.79fr | 0.85fr |
50 - 99 | 0.78fr | 0.84fr |
100 - 174 | 0.75fr | 0.81fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88fr | 0.95fr |
5 - 9 | 0.84fr | 0.91fr |
10 - 24 | 0.81fr | 0.88fr |
25 - 49 | 0.79fr | 0.85fr |
50 - 99 | 0.78fr | 0.84fr |
100 - 174 | 0.75fr | 0.81fr |
Transistor canal N, SO, SO-8 - IRF7341. Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 95. Quantité par boîtier: 2. Fonction: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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