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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840A

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840A
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1 - 4 1.75fr 1.89fr
5 - 9 1.66fr 1.79fr
10 - 24 1.61fr 1.74fr
25 - 49 1.57fr 1.70fr
50 - 65 1.54fr 1.66fr
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Transistor canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840A. Transistor canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 19:25.

Documentation technique

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