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Transistor IRF840

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Transistor IRF840. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

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