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Transistor KSD5703

Transistor KSD5703
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1 - 4 3.01fr 3.25fr
5 - 9 2.86fr 3.09fr
10 - 24 2.71fr 2.93fr
25 - 44 2.56fr 2.77fr
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1 - 4 3.01fr 3.25fr
5 - 9 2.86fr 3.09fr
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Transistor KSD5703. Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.

Documentation technique

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Transistor. C (out): 1.6pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Courant de collecteur: 14A. Ic(puls): 21A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non
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2.89fr TTC
(2.67fr HT)
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Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Lot de 1
15.92fr TTC
(14.73fr HT)
15.92fr
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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non
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