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Transistor MDF11N60TH

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Transistor MDF11N60TH. Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.

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