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Transistor MJ11015G

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Transistor MJ11015G. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11015G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11016. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

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