Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.52fr | 0.56fr |
5 - 9 | 0.49fr | 0.53fr |
10 - 24 | 0.47fr | 0.51fr |
25 - 49 | 0.44fr | 0.48fr |
50 - 99 | 0.41fr | 0.44fr |
100 - 122 | 0.39fr | 0.42fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.52fr | 0.56fr |
5 - 9 | 0.49fr | 0.53fr |
10 - 24 | 0.47fr | 0.51fr |
25 - 49 | 0.44fr | 0.48fr |
50 - 99 | 0.41fr | 0.44fr |
100 - 122 | 0.39fr | 0.42fr |
Transistor MMBT4403LT1G. Transistor. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.6A. Marquage sur le boîtier: 2T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 07:25.
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