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Transistor STF18NM60N

Transistor STF18NM60N
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Transistor STF18NM60N. Transistor. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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