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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP11NM60FP

Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP11NM60FP
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5 - 9 3.53fr 3.82fr
10 - 24 3.35fr 3.62fr
25 - 49 3.16fr 3.42fr
50 - 99 3.09fr 3.34fr
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Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP11NM60FP. Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 17
STF11NM60ND

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Transistor canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (...
STF11NM60ND
Transistor canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
STF11NM60ND
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Lot de 1
4.24fr TTC
(3.92fr HT)
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Quantité en stock : 39
STP13NM60N

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Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=...
STP13NM60N
Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protection G-S: non
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Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protection G-S: non
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