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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2N3019-ST

Transistor 2N3019-ST
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Transistor 2N3019-ST. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 10:25.

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