Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.93fr | 1.01fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.84fr | 0.91fr |
25 - 49 | 0.79fr | 0.85fr |
50 - 99 | 0.77fr | 0.83fr |
100 - 134 | 0.67fr | 0.72fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.93fr | 1.01fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.84fr | 0.91fr |
25 - 49 | 0.79fr | 0.85fr |
50 - 99 | 0.77fr | 0.83fr |
100 - 134 | 0.67fr | 0.72fr |
Transistor 2SB647-SMD. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
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