Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.90fr | 0.97fr |
2 - 2 | 0.86fr | 0.93fr |
3 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.68fr | 0.74fr |
50 - 196 | 0.57fr | 0.62fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.90fr | 0.97fr |
2 - 2 | 0.86fr | 0.93fr |
3 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.68fr | 0.74fr |
50 - 196 | 0.57fr | 0.62fr |
Transistor BC33716. Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-16. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.
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