Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.64fr | 3.93fr |
5 - 9 | 3.46fr | 3.74fr |
10 - 24 | 3.35fr | 3.62fr |
25 - 49 | 3.28fr | 3.55fr |
50 - 99 | 3.21fr | 3.47fr |
100 - 249 | 3.10fr | 3.35fr |
250+ | 2.99fr | 3.23fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.64fr | 3.93fr |
5 - 9 | 3.46fr | 3.74fr |
10 - 24 | 3.35fr | 3.62fr |
25 - 49 | 3.28fr | 3.55fr |
50 - 99 | 3.21fr | 3.47fr |
100 - 249 | 3.10fr | 3.35fr |
250+ | 2.99fr | 3.23fr |
Transistor canal N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V - 0505-001247. Transistor canal N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: MOS-N-FET. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Produit d'origine constructeur Samsung. Quantité en stock actualisée le 02/07/2025, 08:25.
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