Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.07fr | 5.48fr |
2 - 2 | 4.82fr | 5.21fr |
3 - 4 | 4.67fr | 5.05fr |
5 - 9 | 4.57fr | 4.94fr |
10 - 19 | 4.46fr | 4.82fr |
20 - 29 | 4.31fr | 4.66fr |
30+ | 4.16fr | 4.50fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.07fr | 5.48fr |
2 - 2 | 4.82fr | 5.21fr |
3 - 4 | 4.67fr | 5.05fr |
5 - 9 | 4.57fr | 4.94fr |
10 - 19 | 4.46fr | 4.82fr |
20 - 29 | 4.31fr | 4.66fr |
30+ | 4.16fr | 4.50fr |
Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956. Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 26A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Produit d'origine constructeur Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 00:25.
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