Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 10.41fr | 11.25fr |
2 - 2 | 9.89fr | 10.69fr |
3 - 4 | 9.68fr | 10.46fr |
5 - 9 | 9.37fr | 10.13fr |
10 - 14 | 9.16fr | 9.90fr |
15 - 19 | 8.85fr | 9.57fr |
20 - 29 | 8.54fr | 9.23fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 10.41fr | 11.25fr |
2 - 2 | 9.89fr | 10.69fr |
3 - 4 | 9.68fr | 10.46fr |
5 - 9 | 9.37fr | 10.13fr |
10 - 14 | 9.16fr | 9.90fr |
15 - 19 | 8.85fr | 9.57fr |
20 - 29 | 8.54fr | 9.23fr |
Transistor canal N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V - AP88N30W. Transistor canal N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 312W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 05:25.
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