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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD
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Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD. Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SFD. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 20:25.

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FGA60N65SMD
Transistor canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 47ms. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Field Stop IGBT'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non
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