Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.