Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.83fr | 3.06fr |
5 - 9 | 2.69fr | 2.91fr |
10 - 24 | 2.55fr | 2.76fr |
25 - 49 | 2.40fr | 2.59fr |
50 - 99 | 2.35fr | 2.54fr |
100 - 108 | 2.09fr | 2.26fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.83fr | 3.06fr |
5 - 9 | 2.69fr | 2.91fr |
10 - 24 | 2.55fr | 2.76fr |
25 - 49 | 2.40fr | 2.59fr |
50 - 99 | 2.35fr | 2.54fr |
100 - 108 | 2.09fr | 2.26fr |
Transistor canal N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V - IRFP054N. Transistor canal N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 81A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.012 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 81 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.
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