Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34fr | 1.45fr |
5 - 9 | 1.27fr | 1.37fr |
10 - 24 | 1.21fr | 1.31fr |
25 - 49 | 1.14fr | 1.23fr |
50 - 99 | 1.11fr | 1.20fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 272 | 0.97fr | 1.05fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34fr | 1.45fr |
5 - 9 | 1.27fr | 1.37fr |
10 - 24 | 1.21fr | 1.31fr |
25 - 49 | 1.14fr | 1.23fr |
50 - 99 | 1.11fr | 1.20fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 272 | 0.97fr | 1.05fr |
Transistor canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - IRFRC20. Transistor canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 06:25.
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