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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A

Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A
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Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A. Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 137 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 06:25.

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