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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP11N60C3

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP11N60C3
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Quantité HT TTC
1 - 4 3.55fr 3.84fr
5 - 9 3.38fr 3.65fr
10 - 24 3.27fr 3.53fr
25 - 49 3.20fr 3.46fr
50 - 99 3.13fr 3.38fr
100 - 249 3.02fr 3.26fr
250+ 2.91fr 3.15fr
Quantité U.P
1 - 4 3.55fr 3.84fr
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25 - 49 3.20fr 3.46fr
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Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP11N60C3. Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 21:25.

Documentation technique

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FCP11N60
Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 33A. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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