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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP

Transistor canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP
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10 - 24 0.96fr 1.04fr
25 - 49 0.94fr 1.02fr
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Transistor canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP. Transistor canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 1.51A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

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Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
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Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
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