Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.84fr | 0.91fr |
5 - 9 | 0.80fr | 0.86fr |
10 - 24 | 0.76fr | 0.82fr |
25 - 45 | 0.72fr | 0.78fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.84fr | 0.91fr |
5 - 9 | 0.80fr | 0.86fr |
10 - 24 | 0.76fr | 0.82fr |
25 - 45 | 0.72fr | 0.78fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v - FDS9435A. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS9435A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 528pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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