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Transistor IRFBC30A

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Transistor IRFBC30A. Transistor. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.

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