Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38fr | 1.49fr |
5 - 9 | 1.31fr | 1.42fr |
10 - 24 | 1.24fr | 1.34fr |
25 - 49 | 1.17fr | 1.26fr |
50 - 99 | 1.14fr | 1.23fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 300 | 0.98fr | 1.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38fr | 1.49fr |
5 - 9 | 1.31fr | 1.42fr |
10 - 24 | 1.24fr | 1.34fr |
25 - 49 | 1.17fr | 1.26fr |
50 - 99 | 1.14fr | 1.23fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 300 | 0.98fr | 1.06fr |
Transistor IRFZ44V. Transistor. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 115W. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 07:25.
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