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Transistor KSD2012GTU

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Transistor KSD2012GTU. Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Courant de collecteur: 3A. Marquage sur le boîtier: D2012-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSB1366. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 17:25.

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