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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA - 2SC2632

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA - 2SC2632
Quantité HT TTC
1 - 4 0.61fr 0.66fr
5 - 9 0.58fr 0.63fr
10 - 24 0.55fr 0.59fr
25 - 49 0.52fr 0.56fr
50 - 99 0.51fr 0.55fr
100 - 249 0.49fr 0.53fr
250+ 0.47fr 0.51fr
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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA - 2SC2632. Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Quantité en stock actualisée le 25/04/2025, 11:25.

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Produits équivalents :

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2SC2911

2SC2911

Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier...
2SC2911
Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Diode BE: non. Diode CE: non
2SC2911
Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Diode BE: non. Diode CE: non
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2SC2910

2SC2910

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: soudure s...
2SC2910
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208
2SC2910
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208
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KSC2310-Y

KSC2310-Y

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-9...
KSC2310-Y
Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
KSC2310-Y
Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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