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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA - 2SC2910

Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA - 2SC2910
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10 - 24 3.50fr 3.78fr
25 - 49 3.42fr 3.70fr
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Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA - 2SC2910. Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Courant de collecteur: 70mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation haute tension. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 140mA. Produit d'origine constructeur Sanyo. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

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2SC3467
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2.15fr TTC
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BF421

BF421

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Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 830mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF420. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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2SC2705

2SC2705

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 1.8pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: C2705. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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