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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V - 2SC5858

Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V - 2SC5858
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Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V - 2SC5858. Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 22A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 44A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

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Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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