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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703
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25 - 44 2.56fr 2.77fr
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703. Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 03:25.

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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 14A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 1.6pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS
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FJAF6810A

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FJAF6810A
Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non
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