Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.60fr | 1.73fr |
5 - 9 | 1.52fr | 1.64fr |
10 - 24 | 1.44fr | 1.56fr |
25 - 49 | 1.36fr | 1.47fr |
50 - 97 | 1.33fr | 1.44fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.60fr | 1.73fr |
5 - 9 | 1.52fr | 1.64fr |
10 - 24 | 1.44fr | 1.56fr |
25 - 49 | 1.36fr | 1.47fr |
50 - 97 | 1.33fr | 1.44fr |
Transistor NTD20N06L. Transistor. C (in): 707pF. C (out): 224pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 20N6LG. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.
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